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龍圖騰網(wǎng)恭喜朗姆研究公司申請的專利在室調(diào)節(jié)中的抗氧化保護(hù)層獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN111448640B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201880079241.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/02；該發(fā)明授權(quán)在室調(diào)節(jié)中的抗氧化保護(hù)層是由賴鋒源;龔波;袁光璧;許晨華;巴德里·瓦拉達(dá)拉簡設(shè)計研發(fā)完成，并于2018-12-06向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本在室調(diào)節(jié)中的抗氧化保護(hù)層在說明書摘要公布了：在一些示例中，一種用于調(diào)節(jié)晶片處理室的方法包括：將所述室中的壓強(qiáng)設(shè)定至預(yù)定壓強(qiáng)范圍；將所述室中的溫度設(shè)定至預(yù)定溫度范圍；并且將處理氣體混合物供應(yīng)至所述室內(nèi)的氣體分配裝置。在所述室內(nèi)點燃等離子體并且監(jiān)控所述室中的狀態(tài)。基于檢測到所監(jiān)控的所述狀態(tài)到達(dá)或越過閾值而實施室調(diào)節(jié)操作。所述室調(diào)節(jié)操作可以包括：將預(yù)調(diào)節(jié)膜沉積于所述室的內(nèi)表面上，將碳氧化硅SiCO膜沉積于所述預(yù)調(diào)節(jié)膜上，以及將保護(hù)層沉積于所述SiCO膜上。

本發(fā)明授權(quán)在室調(diào)節(jié)中的抗氧化保護(hù)層在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于調(diào)節(jié)襯底處理室的方法，所述方法包括：將所述襯底處理室中的壓強(qiáng)設(shè)定至預(yù)定壓強(qiáng)范圍內(nèi)；將所述襯底處理室的溫度設(shè)定至預(yù)定溫度范圍內(nèi)；將處理氣體混合物供應(yīng)至所述襯底處理室內(nèi)的氣體分配裝置，其中所述處理氣體混合物包括至少包含氧物質(zhì)以及氦或氬氣的氣體；在所述襯底處理室內(nèi)點燃等離子體：監(jiān)控所述襯底處理室中的狀態(tài)；檢測所監(jiān)控的所述狀態(tài)到達(dá)或越過閾值；基于檢測到所監(jiān)控的所述狀態(tài)到達(dá)或越過閾值而實施襯底處理室調(diào)節(jié)操作，其中所述襯底處理室調(diào)節(jié)操作包括：在所述襯底處理室中，通過原子層沉積將預(yù)調(diào)節(jié)膜沉積于所述襯底處理室的內(nèi)表面上，在所述襯底處理室中，通過遠(yuǎn)程等離子體化學(xué)氣相沉積將碳氧化硅膜沉積于所述預(yù)調(diào)節(jié)膜上，以及在所述襯底處理室中，通過化學(xué)氣相沉積將保護(hù)層沉積于所述碳氧化硅膜上，其中所述保護(hù)層的碳含量與所述碳氧化硅膜不同。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人朗姆研究公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。