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龍圖騰網恭喜上海維安電子股份有限公司申請的專利一種高輸出電流產品的中測電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN109739294B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910172925.7，技術領域涉及：G05F3/26；該發明授權一種高輸出電流產品的中測電路是由宋苗;姚和平;支知淵;閆苗苗設計研發完成，并于2019-03-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種高輸出電流產品的中測電路在說明書摘要公布了：本發明公開了一種高輸出電流產品的中測電路，其包含VEN與VIN比較模塊、電流比較模塊、電流采樣模塊。其中電流采樣模塊用于將輸出電流通過電流鏡像作用轉換成較小的電流值，通過電流比較模塊和基準電流的比較，反饋回電流采樣模塊，輸出恒定的電流值，VEN與VIN比較模塊用于給出中測指示信號，使得輸出電流降低至原來的一定比例進行中測。本方案可以在不影響實際輸出高電流的情況下將中測時的輸出電流降低，以適應中測時探針可承受的持續工作電流范圍進行測試，相比于傳統保護方案具有更優越的性能。

本發明授權一種高輸出電流產品的中測電路在權利要求書中公布了：1.一種高輸出電流產品的中測電路,其特征在于,包括VEN與VIN比較模塊、電流比較模塊、電流采樣模塊；其中VEN與VIN比較模塊用于給出中測指示信號，控制電流比較模塊用于比較的采樣電流使用實際輸出電流還是較小的輸出電流；電流比較模塊用于將電流采樣模塊產生的采樣電流與基準電流進行比較，輸出反饋給功率管，控制輸出電流處于恒定狀態；電流采樣模塊用于將輸出電流通過電流鏡像作用轉換成較小的電流值，用于和基準電流的比較；其中，VEN與VIN比較模塊，由第一PMOS管PM1、第一NMOS管NM1、第一緩沖器BUF1組成；第一PMOS管PM1的柵連接第一NMOS管NM1的柵，并同時接到電源IN上，第一PMOS管PM1的源連接使能輸入EN，第一NMOS管NM1的源接地，第一PMOS管PM1的漏連接第一NMOS管NM1的漏，并同時連接第一緩沖器BUF1的輸入端，第一緩沖器BUF1的輸出端Y1連接電流比較模塊中第三NMOS管NM3的柵，第一緩沖器BUF1的輸出端Y1用來控制電流比較模塊用于比較的采樣電流使用實際限流值大小和中測限流值大小；電流比較模塊，由第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5組成；第二PMOS管PM2柵連接外部基準模塊的輸出基準電壓，此時IdPM2為基準電流，第二PMOS管PM2的源接電源，漏接第二NMOS管NM2的漏；第三PMOS管PM3的源接電源；第二NMOS管NM2的源接地，柵與第四NMOS管NM4的柵，第五NMOS管NM5的柵和漏相連，并連接電流采樣模塊提供的采樣電流，鏡像至第四NMOS管NM4和第五NMOS管NM5，此處采樣電流與IdPM2為基準電流比較，比較后結果輸出連接到第三PMOS管PM3的柵，用來控制VdPM3的大小并輸出Y2反饋至電流采樣模塊；第三NMOS管NM3的柵連接VEN與VIN比較模塊第一緩沖器BUF1的輸出端，接收VEN與VIN比較模塊給出的指示，漏與第二PMOS管PM2的漏、第二NMOS管NM2的漏、第三PMOS管PM3的漏相連，選擇與基準電流IdPM2比較的采樣電流為IdNM2還是IdNM2與IdNM4的和，通過調整第四NMOS管NM4寬長比與第二NMOS管NM2寬長比的比例，就可以調整輸出電流的值，第四NMOS管NM4寬長比與第二NMOS管NM2寬長比的比例為3；第三NMOS管NM3的源連接第四NMOS管NM4的漏，第四NMOS管NM4的源和第五NMOS管NM5的源接地。

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