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龍圖騰網(wǎng)恭喜應(yīng)用材料公司申請的專利用于光學(xué)設(shè)備制造的電子束裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113196123B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201980083749.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G02B6/122；該發(fā)明授權(quán)用于光學(xué)設(shè)備制造的電子束裝置是由卡提克·雷馬斯瓦米;楊揚;曼尼瓦南·托塔德里;陳建安;盧多維克·戈代;羅格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森設(shè)計研發(fā)完成，并于2019-12-17向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本用于光學(xué)設(shè)備制造的電子束裝置在說明書摘要公布了：本公開內(nèi)容的方面涉及用于制造波導(dǎo)的裝置。在一個實例中，利用成角度的離子源來朝向基板投射離子以形成包括成角度的光柵的波導(dǎo)。在另一個實例中，利用成角度的電子束源來朝向基板投射電子以形成包括成角度的光柵的波導(dǎo)。本公開內(nèi)容的另外的方面提供了用于利用成角度的離子束源和成角度的電子束源來在波導(dǎo)上形成成角度的光柵的方法。

本發(fā)明授權(quán)用于光學(xué)設(shè)備制造的電子束裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種電子束蝕刻裝置，包括：腔室主體，限定工藝容積；基座，設(shè)置在所述工藝容積中；第一電極，耦接到所述基座；蓋，耦接到所述腔室主體；和第二電極，耦接到所述蓋，所述第二電極包括分段表面，所述分段表面包括復(fù)數(shù)個成角度的表面，所述復(fù)數(shù)個成角度的表面相對于由所述第一電極限定的基準(zhǔn)平面以非正交的定向設(shè)置，所述分段表面設(shè)置在耦接到所述蓋的所述第二電極上，所述第二電極被配置為以與所述復(fù)數(shù)個成角度的表面對應(yīng)的所述非正交的定向發(fā)射電子束。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人應(yīng)用材料公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。