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龍圖騰網恭喜蘇州大學申請的專利基于表面等離子體共振的納米金光柵透射型微流控傳感器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112098374B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010931077.6，技術領域涉及：G01N21/59；該發明授權基于表面等離子體共振的納米金光柵透射型微流控傳感器是由秦琳玲;金越;王尨;劉曉同;周舟設計研發完成，并于2020-09-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于表面等離子體共振的納米金光柵透射型微流控傳感器在說明書摘要公布了：該發明提供了一種基于等離子體共振的納米金光柵透射型微流控傳感器，該透射型傳感器包括：二氧化硅絕緣襯底；二維金屬光柵陣列，形成于二氧化硅絕緣襯底上；待測物微流腔；以及二氧化硅絕緣頂蓋，并且增加了二氧化硅光柵結構，形成于二氧化硅絕緣頂蓋下。該結構的電場強度較強的區域集中在待測物腔的位置，光柵結構增強了等離子共振峰，隨著周期的逐漸增加，相同共振模式的透射峰波長位置出現紅移。該模型具有結構簡單、易于大面積制備、成本低的優點，靈敏度較高，針對透射率傳感易于檢測，有望成為新型表面等離子傳感器件。

本發明授權基于表面等離子體共振的納米金光柵透射型微流控傳感器在權利要求書中公布了：1.一種基于等離子體共振的納米金光柵透射型微流控傳感器，其特征在于，包括：二氧化硅絕緣體構成的腔體作為待測物微流腔，所述待測物微流腔的底部為二氧化硅絕緣襯底，所述二氧化硅絕緣襯底上設置有二維金屬光柵陣列；所述待測物微流腔的頂部為二氧化硅絕緣頂蓋，所述二氧化硅絕緣頂蓋朝向待測物微流腔的一側設置有二維絕緣光柵結構，所述二維絕緣光柵結構的寬度為700-800nm，周期為1200-1400nm，厚度為300-500nm，二維絕緣光柵結構材料為二氧化硅；所述待測物微流腔底部一側設置有待測物流入口，所述待測物微流腔底部另一側設置有待測物流出口；所述二氧化硅絕緣襯底上設置的二維金屬光柵陣列寬度為700-800nm，周期為1200-1400nm，厚度為300-500nm，二維金屬光柵陣列材料為金；所述的待測物微流腔厚度為1200-1600nm；所述二氧化硅絕緣襯底厚度為400-600nm；所述的二維絕緣光柵結構形狀和尺寸與二維金屬光柵結構完全一致；所述基于等離子體共振的納米金光柵透射型微流控傳感器的電場強度較強的區域集中在待測物微流腔的位置，所述光柵結構能增強等離子共振峰，根據待測物折射率變化△n，相應共振模式的透射峰波長位移值△λ,由兩者函數關系換算得到靈敏度S；所述的納米金光柵透射型微流控傳感器在使用時，探測光譜是透射譜，采用分光光度計測試透射光譜；通過改變二維金屬光柵陣列及二維絕緣光柵的寬度、厚度、周期，使傳感器的透射光譜位置具有可選性。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州大學，其通訊地址為：215104 江蘇省蘇州市姑蘇區干將東路333號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。