恭喜珠海零邊界集成電路有限公司;珠海格力電器股份有限公司葛孝昊獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜珠海零邊界集成電路有限公司;珠海格力電器股份有限公司申請的專利一種逆導型絕緣柵雙極型晶體管及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114220854B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111564339.0，技術領域涉及：H10D12/00；該發明授權一種逆導型絕緣柵雙極型晶體管及其制作方法是由葛孝昊;曾丹;林苡任;謝梓翔設計研發完成，并于2021-12-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種逆導型絕緣柵雙極型晶體管及其制作方法在說明書摘要公布了：本申請提供了一種逆導型絕緣柵雙極型晶體管及其制作方法，其中，該晶體管包括：絕緣襯底上的硅SOI晶圓片，SOI晶圓片包括依次設置的第一外延層、第二外延層、第一氧化層；間隔設置在第一氧化層中的集電區和短路區，以及設置在第一氧化層不與第二外延層接觸的一面的第一金屬層，形成的逆導型絕緣柵雙極型晶體管的集電極結構。通過本申請，解決了現有技術中傳統逆導型IGBT存在的工藝復雜且漏電流大的技術問題。
本發明授權一種逆導型絕緣柵雙極型晶體管及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種逆導型絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，包括：絕緣襯底上的硅SOI晶圓片，所述SOI晶圓片包括依次設置的第一外延層、第二外延層、第一氧化層；間隔設置在所述第一氧化層中的集電區和短路區，以及設置在所述第一氧化層不與所述第二外延層接觸的一面的第一金屬層，形成的所述逆導型絕緣柵雙極型晶體管的集電極結構；其中，間隔設置在所述第一氧化層中的集電區和短路區是指所述短路區兩側分別設置所述集電區，且所述短路區與所述集電區之間為所述第一氧化層；其中，逆導型絕緣柵雙極型晶體管包括：第二氧化層和多晶硅柵；所述多晶硅柵內置在所述第一外延層中通過溝槽刻蝕得到的溝槽內，所述多晶硅柵表面及所述第一外延層不與第二外延層接觸的一面設置有所述第二氧化層，所述第二氧化層為柵氧化層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人珠海零邊界集成電路有限公司;珠海格力電器股份有限公司，其通訊地址為：519015 廣東省珠海市香洲區吉大景山路蓮山巷8號1001室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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