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龍圖騰網(wǎng)恭喜浙江大學申請的專利基于宏觀組裝石墨烯/外延硅肖特基結(jié)的紅外雪崩光電探測器及其制備方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN115332385B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202210858802.0，技術領域涉及：H10F30/227；該發(fā)明授權基于宏觀組裝石墨烯/外延硅肖特基結(jié)的紅外雪崩光電探測器及其制備方法是由徐楊;李宗文;曹小雪;張致翔;田豐;柴健;俞濱設計研發(fā)完成，并于2022-07-20向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本基于宏觀組裝石墨烯/外延硅肖特基結(jié)的紅外雪崩光電探測器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種基于宏觀組裝石墨烯外延硅肖特基結(jié)的紅外雪崩光電探測器及其制備方法，主要解決現(xiàn)有雪崩光電探測器暗電流大、增益小、雪崩閾值電壓過高等問題，并提出了一種分離吸收層和倍增層的低雪崩閾值電壓新型紅外光電探測器。該光電探測器以宏觀組裝石墨烯作為紅外光吸收層，以外延硅層作為載流子倍增層，通過吸收倍增層的分離有效抑制噪聲電流倍增，實現(xiàn)微弱光信號的靈敏探測；在較大的反向偏壓下，光生載流子越過勢壘與耗盡區(qū)內(nèi)硅晶格發(fā)生碰撞電離，激發(fā)出指數(shù)型倍增的載流子貢獻到光電流中，實現(xiàn)一個很大的內(nèi)部增益；本發(fā)明光電探測器可以探測紅外光譜，解決傳統(tǒng)肖特基勢壘探測器對紅外光探測響應低的問題，利于通信波段信息的傳遞。

本發(fā)明授權基于宏觀組裝石墨烯/外延硅肖特基結(jié)的紅外雪崩光電探測器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于宏觀組裝石墨烯外延硅肖特基結(jié)的紅外雪崩光電探測器，其特征在于，包括：底部電極（1）、n型重摻硅襯底（2）、外延硅層（3）、介質(zhì)隔離層（4）、介質(zhì)隔離層窗口（5）、頂部電極（6）和宏觀組裝石墨烯薄膜（7）；其中，所述n型重摻硅襯底（2）的下表面覆蓋底部電極（1），上表面生長外延硅層（3），其材質(zhì)是本征硅或者輕摻n型硅，所述輕摻n型硅的摻雜濃度為1010~1017cm-3，電阻率在1~5kW×cm之間，厚度為0.1~10mm；所述外延硅層（3）的上表面生長介質(zhì)隔離層（4），在介質(zhì)隔離層（4）的上表面沉積頂部電極（6），在頂部電極（6）內(nèi)開有介質(zhì)隔離層窗口（5）貫穿至外延硅層（3）的上表面，使介質(zhì)隔離層（4）成凹形結(jié)構，且介質(zhì)隔離層窗口（5）的邊界小于頂部電極（6）的邊界；在頂部電極（6）和外延硅層（3）的上表面覆蓋宏觀組裝石墨烯薄膜（7），宏觀組裝石墨烯薄膜外延硅層結(jié)構中，所述宏觀組裝石墨烯薄膜（7）作為紅外光吸收層，所述外延硅層（3）作為載流子倍增層，紅外探測波段為1.1~16mm。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢嗳?a target="_blank" rel="noopener noreferrer nofollow" >浙江大學，其通訊地址為：310058 浙江省杭州市西湖區(qū)余杭塘路866號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。