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龍圖騰網恭喜浙江大學申請的專利基于宏觀組裝石墨烯/外延硅肖特基結的紅外雪崩光電探測器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115332385B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210858802.0，技術領域涉及：H10F30/227；該發明授權基于宏觀組裝石墨烯/外延硅肖特基結的紅外雪崩光電探測器及其制備方法是由徐楊;李宗文;曹小雪;張致翔;田豐;柴健;俞濱設計研發完成，并于2022-07-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于宏觀組裝石墨烯/外延硅肖特基結的紅外雪崩光電探測器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于宏觀組裝石墨烯外延硅肖特基結的紅外雪崩光電探測器及其制備方法，主要解決現有雪崩光電探測器暗電流大、增益小、雪崩閾值電壓過高等問題，并提出了一種分離吸收層和倍增層的低雪崩閾值電壓新型紅外光電探測器。該光電探測器以宏觀組裝石墨烯作為紅外光吸收層，以外延硅層作為載流子倍增層，通過吸收倍增層的分離有效抑制噪聲電流倍增，實現微弱光信號的靈敏探測；在較大的反向偏壓下，光生載流子越過勢壘與耗盡區內硅晶格發生碰撞電離，激發出指數型倍增的載流子貢獻到光電流中，實現一個很大的內部增益；本發明光電探測器可以探測紅外光譜，解決傳統肖特基勢壘探測器對紅外光探測響應低的問題，利于通信波段信息的傳遞。

本發明授權基于宏觀組裝石墨烯/外延硅肖特基結的紅外雪崩光電探測器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于宏觀組裝石墨烯外延硅肖特基結的紅外雪崩光電探測器，其特征在于，包括：底部電極（1）、n型重摻硅襯底（2）、外延硅層（3）、介質隔離層（4）、介質隔離層窗口（5）、頂部電極（6）和宏觀組裝石墨烯薄膜（7）；其中，所述n型重摻硅襯底（2）的下表面覆蓋底部電極（1），上表面生長外延硅層（3），其材質是本征硅或者輕摻n型硅，所述輕摻n型硅的摻雜濃度為1010~1017cm-3，電阻率在1~5kW×cm之間，厚度為0.1~10mm；所述外延硅層（3）的上表面生長介質隔離層（4），在介質隔離層（4）的上表面沉積頂部電極（6），在頂部電極（6）內開有介質隔離層窗口（5）貫穿至外延硅層（3）的上表面，使介質隔離層（4）成凹形結構，且介質隔離層窗口（5）的邊界小于頂部電極（6）的邊界；在頂部電極（6）和外延硅層（3）的上表面覆蓋宏觀組裝石墨烯薄膜（7），宏觀組裝石墨烯薄膜外延硅層結構中，所述宏觀組裝石墨烯薄膜（7）作為紅外光吸收層，所述外延硅層（3）作為載流子倍增層，紅外探測波段為1.1~16mm。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人浙江大學，其通訊地址為：310058 浙江省杭州市西湖區余杭塘路866號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。