恭喜上海華虹宏力半導體制造有限公司曹啟鵬獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜上海華虹宏力半導體制造有限公司申請的專利NORD閃存存儲器的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116234314B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310181804.5，技術領域涉及：H10B41/00；該發明授權NORD閃存存儲器的制造方法是由曹啟鵬;付博;王卉設計研發完成，并于2023-02-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本NORD閃存存儲器的制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種NORD閃存存儲器的制造方法，包括：提供襯底；在第一開口的側壁形成側墻結構，并以利用側墻結構及圖形化的掩模層蝕刻控制柵材料層、柵間介質層、浮柵材料層以形成第二開口；利用第二開口，采用干法蝕刻去除浮柵氧化層的至少一半厚度；采用濕法蝕刻去除剩余的浮柵氧化層以形成暴露襯底；第二開口內依次形成隧穿氧化層及字線；在襯底上形成存儲單元。在本發明中，通過干法蝕刻去除至少一半厚度的浮柵氧化層，以均勻蝕刻第二開口底部的浮柵氧化層，再利用較短時間的濕法蝕刻去除剩余的浮柵氧化層以減小對襯底的影響，并清洗第二開口，從而在第二開口內形成形貌較佳的隧穿氧化層及字線，防止襯底中的有源區與字線短路。
本發明授權NORD閃存存儲器的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種NORD閃存存儲器的制造方法，其特征在于，包括：提供襯底，所述襯底上依次形成有浮柵氧化層、浮柵材料層、柵間介質層、控制柵材料層及圖形化的掩模層，所述圖形化的掩模層具有若干第一開口；在所述第一開口的側壁形成側墻結構，并以利用所述側墻結構及所述圖形化的掩模層蝕刻所述控制柵材料層、所述柵間介質層、所述浮柵材料層以形成第二開口；利用所述第二開口，采用干法蝕刻去除所述浮柵氧化層的至少一半厚度；采用濕法蝕刻去除剩余的所述浮柵氧化層以形成暴露所述襯底，并在所述第二開口內依次形成隧穿氧化層及字線；在所述襯底上形成存儲單元，每個所述存儲單元均各自包括一個控制柵結構、一個浮柵結構及一個所述字線。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海華虹宏力半導體制造有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國(上海)自由貿易試驗區祖沖之路1399號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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