恭喜西安電子科技大學洪濤獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜西安電子科技大學申請的專利一種通過饋源偏焦調節提升緊縮場低頻靜區性能的方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN116359620B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202310252820.9,技術領域涉及:G01R29/10;該發明授權一種通過饋源偏焦調節提升緊縮場低頻靜區性能的方法是由洪濤;吳瑞恒;胡偉;高雨辰;姜文設計研發完成,并于2023-03-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種通過饋源偏焦調節提升緊縮場低頻靜區性能的方法在說明書摘要公布了:一種通過饋源偏焦調節提升緊縮場低頻靜區性能的方法,確定緊縮場反射面焦距、反射面偏置方向、靜區尺寸和靜區位置;將靜區投影到反射面,確定投影在反射面偏置方向的最低點和最高點;計算得到使偏焦前后饋源相位中心分別到反射面偏置方向上最低點和最高點的距離之差相同的饋源偏焦路線;得到饋源偏焦前各頻點緊縮場靜區前中后三個位置的相位分布,判斷靜區相位的整體分布形態;在饋源偏焦路線上進行取樣,得到饋源位于各樣點位置時靜區前中后三個位置的相位數據;比較饋源位于各樣點位置時靜區前中后三個位置的相位數據得到使靜區相位分布最佳的饋源偏焦位置。本發明能夠在不改變緊縮場反射面、饋源和暗室結構的前提下提升緊縮場低頻靜區性能。
本發明授權一種通過饋源偏焦調節提升緊縮場低頻靜區性能的方法在權利要求書中公布了:1.一種通過饋源偏焦調節提升緊縮場低頻靜區性能的方法,其特征在于,包括如下步驟:步驟1,確定緊縮場的反射面焦距、反射面偏置方向、靜區尺寸和靜區位置,所述緊縮場為單反射面緊縮場;步驟2:將靜區投影到反射面上,確定反射面上投影在反射面偏置方向的最低點P和最高點Q的位置;步驟3:將饋源在反射面的偏置面上進行移動,計算使偏焦前后饋源相位中心分別到反射面偏置方向的最低點P和最高點Q的距離之差相同的位置,得到饋源偏焦路線;步驟4:通過仿真或測量得到饋源偏焦前各頻點緊縮場靜區前、中、后三個位置的相位分布,判斷其整體分布形態屬于凹形分布還是凸形分布;步驟5:根據步驟4中饋源偏焦前緊縮場靜區相位分布形態,在步驟3得到的饋源偏焦路線上進行相應取樣,將饋源移動到各樣點位置,對饋源位于各樣點位置的情況進行仿真或測量,得到饋源位于各樣點位置時各頻點靜區前、中、后三個位置的相位數據;步驟6:通過比較頻帶內靜區前、中、后三個位置的相位平坦度,得到使靜區相位分布最佳的偏焦位置,所述靜區相位平坦度為相應頻率相應位置的靜區口面上的相位峰峰值。
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