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龍圖騰網(wǎng)恭喜寧夏中欣晶圓半導(dǎo)體科技有限公司申請的專利用于拉制氧含量面內(nèi)分布均勻的單晶襯底硅片的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN118461131B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202410498681.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C30B29/06；該發(fā)明授權(quán)用于拉制氧含量面內(nèi)分布均勻的單晶襯底硅片的方法是由伊冉;芮陽;王黎光;曹啟剛;楊少林;蔡瑞;白園;李俊麗設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-04-24向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本用于拉制氧含量面內(nèi)分布均勻的單晶襯底硅片的方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供用于拉制氧含量面內(nèi)分布均勻的單晶襯底硅片的方法，涉及單晶硅制備方法的技術(shù)領(lǐng)域，在直拉單晶的過程中，在石英坩堝兩側(cè)施加CUSP磁場，在預(yù)定磁場強(qiáng)度下，CUSP磁場與石英坩堝同步上升，能夠更有效地抑制熔湯的對流，增大邊界擴(kuò)散層厚度，在CUSP磁場的作用下，氧的軸向分布均勻性和徑向分勻勻性得到改善，雜質(zhì)的徑向分均勻性也變好，使得拉制的晶棒的氧含量面內(nèi)分布均勻。

本發(fā)明授權(quán)用于拉制氧含量面內(nèi)分布均勻的單晶襯底硅片的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于拉制氧含量面內(nèi)分布均勻的單晶襯底硅片的方法，其特征在于，在直拉單晶的過程中，在石英坩堝兩側(cè)施加CUSP磁場，在預(yù)定磁場強(qiáng)度下，CUSP磁場與石英坩堝同步上升，以拉制氧含量面內(nèi)分布均勻的晶棒；包括以下步驟，S1：在石英坩堝兩側(cè)設(shè)置CUSP磁場，然后進(jìn)行化料；S2：當(dāng)化料結(jié)束后，在整個拉晶階段，調(diào)節(jié)加熱器上升第一預(yù)定距離，使得加熱器的發(fā)熱區(qū)位于所述硅溶液的液面上方，使得拉晶前期氧含量降低；加熱器上升的速度與石英坩堝上升的速度保持一致；S3：在加熱器上升的過程中，施加CUSP磁場，并調(diào)節(jié)CUSP磁場下降至第二預(yù)定距離，使磁場中心位于液面下方；S4：在等徑步驟中，CUSP磁場與石英坩堝同步上升，進(jìn)行拉晶，使得拉制的晶棒的氧含量面內(nèi)分布均勻，得到晶棒；所述石英坩堝的上升速率為0.12-0.15mmmin；所述S2步驟中：所述加熱器上升的第一預(yù)定距離為：NCP+80mm~+130mm；所述S2步驟中，在整個拉晶階段，所述石英坩堝的轉(zhuǎn)速為0.1~1mmmin；所述S3步驟中：所述CUSP磁場下降的第二預(yù)定距離為：MCP-260mm~-200mm，以使石英坩堝轉(zhuǎn)速與CUSP磁場的位置相適配；所述S4步驟中：所述CUSP磁場的強(qiáng)度為4000Gs~4500Gs。

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