買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)恭喜浙江創(chuàng)芯集成電路有限公司申請的專利一種背照式工藝流程的優(yōu)化方法及半導體器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119208344B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202411689039.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F39/12；該發(fā)明授權(quán)一種背照式工藝流程的優(yōu)化方法及半導體器件是由張言彩設計研發(fā)完成，并于2024-11-25向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種背照式工藝流程的優(yōu)化方法及半導體器件在說明書摘要公布了：本申請涉及半導體工藝技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種背照式工藝流程的優(yōu)化方法及半導體器件，其中，所述方法包括在二氧化硅層的表面刻蝕出與光電子吸收帶相匹配的鋁帶，并增加二氧化硅層的厚度，以使得鋁帶包裹于增加厚度后的二氧化硅層中；依次刻蝕增加厚度后的二氧化硅層、金屬薄膜層以及硅襯底，以在半導體組件中形成直通金屬布線層的溝槽；刻蝕溝槽的底部和增加厚度后的二氧化硅層的指定位置，以在溝槽的底部形成連接銅膜的開孔，以及在指定位置處形成接地通孔；針對開孔和接地通孔刻蝕鋁膜，生成與銅膜相接觸的金屬墊片和與接地通孔相匹配的接地連線。本申請?zhí)峁┑募夹g(shù)方案，能夠簡化半導體器件背照式刻蝕的工藝流程，降低制備時間和生產(chǎn)成本。

本發(fā)明授權(quán)一種背照式工藝流程的優(yōu)化方法及半導體器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種背照式工藝流程的優(yōu)化方法，其特征在于，所述方法應用于根據(jù)背照式工藝流程制備的半導體組件中，所述半導體組件包括自上而下分布的二氧化硅層、金屬薄膜層、硅襯底以及金屬布線層，所述硅襯底中包含光電子吸收帶，所述金屬布線層中包含待開孔的銅膜，所述方法包括：在所述二氧化硅層的表面刻蝕出與所述光電子吸收帶相匹配的鋁帶，并增加所述二氧化硅層的厚度，以使得所述鋁帶包裹于增加厚度后的二氧化硅層中；依次刻蝕所述增加厚度后的二氧化硅層、所述金屬薄膜層以及所述硅襯底，以在所述半導體組件中形成直通所述金屬布線層的溝槽；同時刻蝕所述溝槽的底部和所述增加厚度后的二氧化硅層的指定位置，以在所述溝槽的底部形成連接所述銅膜的開孔，以及在所述指定位置處形成接地通孔，其中，所述接地通孔貫穿所述增加厚度后的二氧化硅層和所述金屬薄膜層，并進入所述硅襯底；針對所述開孔和所述接地通孔刻蝕鋁膜，生成與所述銅膜相接觸的金屬墊片，以及生成與所述接地通孔相匹配的接地連線；其中，在所述二氧化硅層的表面刻蝕出與所述光電子吸收帶相匹配的鋁帶包括：在所述二氧化硅層的表面淀積鋁膜，并在淀積后的鋁膜上確定與所述光電子吸收帶相匹配的目標位置；在所述目標位置處噴涂光刻膠，對噴涂了光刻膠的鋁膜進行刻蝕，并在完成刻蝕后清洗光刻膠，得到在所述二氧化硅層的表面生成的與所述光電子吸收帶相匹配的鋁帶。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人浙江創(chuàng)芯集成電路有限公司，其通訊地址為：311200 浙江省杭州市蕭山區(qū)寧圍街道平瀾路2118號浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心水博園區(qū)11幢4層-5層；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。