恭喜北京大學賀明獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜北京大學申請的專利基于自摻雜效應的光電探測器及其作為動態神經網絡加速器的應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119486290B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510027717.3，技術領域涉及：H10F30/282；該發明授權基于自摻雜效應的光電探測器及其作為動態神經網絡加速器的應用是由賀明;劉碩;劉鋆靈;許蕾;黃如設計研發完成，并于2025-01-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本基于自摻雜效應的光電探測器及其作為動態神經網絡加速器的應用在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于自摻雜效應的光電探測器及其作為動態神經網絡加速器的應用，屬于高性能傳感和感存算一體技術領域。所述光電探測器采用層狀二維半導體鉍氧硒作為溝道層，通過界面酸刻蝕法調控硒空位位置，使其與電子傳輸層分離，實現光響應度的自調制效應，并實現寬范圍的光響應度幅度調制、光響應度變化時間常數調制。采用該光電探測器作為動態片上光學神經網絡加速器可有效進行動態權重調節，用于連續變化的物體特征識別，包括旋轉、移動、退化條件下物體的識別與探測任務。
本發明授權基于自摻雜效應的光電探測器及其作為動態神經網絡加速器的應用在權利要求書中公布了：1.一種光電探測器，包括襯底和柵介質層，以及位于柵介質層上的層狀二維鉍氧硒溝道層，溝道層的兩端為源漏電極，其特征在于，所述層狀二維鉍氧硒溝道層的下部為具有硒空位的界面缺陷層，上部為溝道傳輸層；所述界面缺陷層是具有硒空位的1~2層二維鉍氧硒，其中硒空位缺陷濃度為4.2×1012cm2~1.6×1013cm2；所述溝道傳輸層的厚度為8nm~12nm。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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