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龍圖騰網(wǎng)恭喜山西創(chuàng)芯光電科技有限公司申請(qǐng)的專利一種可保護(hù)金屬電極的大面陣紅外探測(cè)器芯片減薄方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119584701B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510137532.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F71/00；該發(fā)明授權(quán)一種可保護(hù)金屬電極的大面陣紅外探測(cè)器芯片減薄方法是由王慧云;張培峰;王書(shū)浩;李水利;張竟;韓瑞華;賀利明;蘇瑩設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-02-07向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種可保護(hù)金屬電極的大面陣紅外探測(cè)器芯片減薄方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明提供了一種可保護(hù)金屬電極的大面陣紅外探測(cè)器芯片減薄方法，屬于紅外探測(cè)器制備技術(shù)領(lǐng)域；解決了傳統(tǒng)的背研磨拋光工藝需要先采用光刻膠保護(hù)電路，膠水固化時(shí)間長(zhǎng)，工藝耗時(shí)較長(zhǎng)且效率低下的問(wèn)題；包括以下步驟：在芯片上生長(zhǎng)用于保護(hù)金屬電極的介質(zhì)層；將芯片粘接于玻璃襯底上，并在芯片的四周貼上陪條；然后進(jìn)行研磨、拋光直至達(dá)到所需芯片厚度；制作與芯片的ROIC和FPA對(duì)應(yīng)的光刻版，拋光完成后將芯片從玻璃襯底上取下，然后在芯片上整體勻涂一層光刻膠，利用光刻版顯影后裸露出芯片四周的金屬電極，然后對(duì)芯片進(jìn)行后烘；去除介質(zhì)層；清洗掉表面的光刻膠；本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)對(duì)探測(cè)器芯片金屬電極的保護(hù)。

本發(fā)明授權(quán)一種可保護(hù)金屬電極的大面陣紅外探測(cè)器芯片減薄方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種可保護(hù)金屬電極的大面陣紅外探測(cè)器芯片減薄方法，其特征在于：包括以下步驟：步驟A：在大面陣紅外探測(cè)器芯片上生長(zhǎng)用于保護(hù)金屬電極的介質(zhì)層；步驟B：將大面陣紅外探測(cè)器芯片粘接于玻璃襯底上，并在大面陣紅外探測(cè)器芯片的四周貼上陪條；然后進(jìn)行研磨、拋光直至達(dá)到所需芯片厚度；步驟C：制作與大面陣紅外探測(cè)器芯片的ROIC和FPA對(duì)應(yīng)的光刻版，拋光完成后將大面陣紅外探測(cè)器芯片從玻璃襯底上取下，然后在大面陣紅外探測(cè)器芯片上整體勻涂一層光刻膠，利用光刻版顯影后裸露出大面陣紅外探測(cè)器芯片四周的金屬電極，然后對(duì)大面陣紅外探測(cè)器芯片進(jìn)行后烘；步驟D：去除介質(zhì)層；步驟E：將大面陣紅外探測(cè)器芯片放置于有機(jī)溶液中，清洗掉表面的光刻膠，即可完成研磨拋光工藝。

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