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龍圖騰網恭喜曹建峰申請的專利一種基于金屬基底的薄膜傳感器絕緣層復合結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112601368B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110152953.X，技術領域涉及：H05K3/00；該發明授權一種基于金屬基底的薄膜傳感器絕緣層復合結構是由曹建峰設計研發完成，并于2021-02-04向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于金屬基底的薄膜傳感器絕緣層復合結構在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于金屬基底的薄膜傳感器絕緣層復合結構，包括金屬基底層，設置在金屬基底層上的粘接層，設置在粘接層上的第一絕緣層，設置在第一絕緣層上的第二絕緣層，設置在第二絕緣層上的第三絕緣層，在第三絕緣層上設置的傳感器電路層，在第三絕緣層上設置或不設置覆蓋第三絕緣層和傳感器電路層的保護層。本發明由于氮化硅絕緣層不與金屬基底接觸，杜絕了其在高溫環境下與金屬基底發生反應的可能；同時由于氮化硅絕緣層的隔離，使得氧化鋁絕緣層中的針孔被阻隔，從而不會導致傳感器電路層與金屬基底之間的短路，確保了基于金屬基底的薄膜傳感器在高溫環境下使用時的絕緣能力。

本發明授權一種基于金屬基底的薄膜傳感器絕緣層復合結構在權利要求書中公布了：1.一種基于金屬基底的薄膜傳感器絕緣層復合結構，其特征在于：包括金屬基底層，設置在金屬基底層上的粘接層，設置在粘接層上的第一絕緣層，設置在第一絕緣層上的第二絕緣層，設置在第二絕緣層上的第三絕緣層，在第三絕緣層上設置的傳感器電路層，在第三絕緣層上設置覆蓋第三絕緣層和傳感器電路層的保護層；所述粘接層為在金屬基底上淀積的厚5～50nm的金屬鈦層或金屬鉻層；所述第一絕緣層為通過電子束蒸發工藝在粘接層上淀積的厚0.2～5um的氧化鋁絕緣層；所述第二絕緣層為通過等離子增強化學氣相淀積工藝在第一絕緣層上淀積的厚0.5～5um的氮化硅絕緣層；所述第三絕緣層為通過電子束蒸發工藝在第二絕緣層上淀積的厚0.2～5um的氧化鋁絕緣層；所述保護層為借助金屬掩膜版，通過電子束蒸發工藝在除傳感器電路層焊盤外的區域上淀積的厚0.2～5um的氧化鋁層，氧化鋁層不覆蓋傳感器電路層的焊盤。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人曹建峰，其通訊地址為：234000 安徽省宿州市埇橋區師范路電廠小區C棟403；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。