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龍圖騰網恭喜弗薩姆材料美國有限責任公司申請的專利用于淺槽隔離應用的低凹陷氧化物CMP拋光組合物及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115698207B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202180038648.6，技術領域涉及：C09G1/02；該發明授權用于淺槽隔離應用的低凹陷氧化物CMP拋光組合物及其制備方法是由史曉波;J·D·羅斯;K·P·穆瑞拉;周鴻君;M·L·奧內爾設計研發完成，并于2021-05-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于淺槽隔離應用的低凹陷氧化物CMP拋光組合物及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供淺槽隔離STI化學機械平面化CMP拋光組合物，其使用方法及系統。CMP拋光組合物包含二氧化鈰涂覆的無機氧化物顆粒的磨料，如二氧化鈰涂覆的二氧化硅；以及用于提供可調的氧化物膜去除速率和可調的SiN膜去除速率的雙重化學添加劑；低氧化物溝槽凹陷和高氧化物：SiN選擇性。雙重化學添加劑包含1至少一種含硅氧烷化合物，其在同一分子上包含環氧乙烷和環氧丙烷EO?PO基團中的至少一種，和取代的乙二胺基團中的至少一種；和2至少一種具有至少兩個，優選至少四個羥基官能團的非離子有機分子。

本發明授權用于淺槽隔離應用的低凹陷氧化物CMP拋光組合物及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種化學機械拋光組合物，其包含：至少一種二氧化鈰涂覆的無機氧化物顆粒；至少一種含硅氧烷化合物，其包含選自由至少一個環氧乙烷和環氧丙烷EO-PO基團和至少一個取代的乙二胺基團組成的組中的至少一種；至少一種具有至少兩個羥基官能團的非離子有機分子；溶劑；任選地，殺生物劑；以及pH調節劑，其中所述組合物具有選自由2至12、3至10、4至9和5至7組成的組的pH；和所述至少一種含硅氧烷的化合物具有選自包含以下的一般分子結構：1 其中a和a’各自獨立地在0至50、0至40、0至30、0至20、0至10或0至5的范圍內；其中a和a’中的至少一個不為0；b和c各自獨立地在0-50、0-40、0-30、0-20、0-10或0-5的范圍內；其中b和c中的至少一個不為0；n和m相同或不同，并且各自獨立地在1至12、1至8、1至5或2至4的范圍內；R和R’相同或不同，并且各自獨立地選自由以下組成的組：氫；-CH2pCH3，其中p的范圍為1至12或2至5；-NH2；-NHCH2q-NH2，其中q的范圍為1至12或2至5；環氧乙烷EO和環氧丙烷PO重復基團-EOe-POd-OH，其中d和e各自獨立地選自由以下組成的組：1至50、1至40、1至30、1至20、1至10和1至5；-COOH；-COOM；-COOR1；-R1COOH；-R1COOM；-R1COOR2；-SO3H；-SO3M；-R1SO3H；膦酸；選自鈉、鉀或銨鹽的磷酸鹽；芐基；二芐基；其中R1和R2各自獨立地選自由以下組成的組：-CH2m，其中m的范圍為1至12，和C6H4n，其中n的范圍為1至4；并且M選自鈉、鉀和銨；2 其中R’和R”相同或不同，并且各自獨立地選自由以下組成的組：氫；-CH2pCH3，其中p的范圍為1至12或2至5；-NH2；-NHCH2q-NH2，其中q的范圍為1至12或2至5；環氧乙烷EO和環氧丙烷PO重復基團-EOe-POd-OH，其中d和e各自獨立地選自由以下組成的組：1至50、1至40、1至30、1至20、1至10和1至5；-COOH；-COOM；-COOR1；-R1COOH；-R1COOM；-R1COOR2；-SO3H；-SO3M；-R1SO3H；膦酸；選自鈉、鉀或銨鹽的磷酸鹽；芐基；二芐基；其中R1和R2各自獨立地選自-CH2m，其中m的范圍為1至12，和-C6H4n，其中n的范圍為1至4；并且M選自鈉、鉀和銨；且x、y和z相同或不同，并且各自獨立地選自1至12；n-1是2至13；以及31和2的組合。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人弗薩姆材料美國有限責任公司，其通訊地址為：美國亞利桑那州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。