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龍圖騰網恭喜青島海存微電子有限公司申請的專利一種寫入方法、電路以及陣列獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118969037B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411441864.7，技術領域涉及：G11C11/16；該發明授權一種寫入方法、電路以及陣列是由張洪超;韓則地;王旻;周劍鋒;劉宏喜;王戈飛設計研發完成，并于2024-10-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種寫入方法、電路以及陣列在說明書摘要公布了：本申請提供了一種寫入方法、電路以及陣列，涉及集成電路技術領域。寫入電路，包括電壓調控模塊以及Nand型磁存儲單元；Nand型磁存儲單元包括自旋軌道矩層以及設置在自旋軌道矩層上的多個磁隧道結。電壓調控模塊用于根據預設存儲需求，生成寫入電壓和與多個磁隧道結一一對應的控制電壓，并將寫入電壓提供給自旋軌道矩層，將控制電壓提供給對應磁隧道結，以使得初始化后的多個磁隧道結按照預設的翻轉概率進行翻轉。本申請可以根據預設存儲需求生成的每個磁隧道結對應的控制電壓，來控制磁隧道結的翻轉概率，從而可以精確實現Nand型磁存儲單元的選擇性寫入，進而使Nand型磁存儲單元可以應用于精確存儲中。

本發明授權一種寫入方法、電路以及陣列在權利要求書中公布了：1.一種寫入電路，其特征在于，包括電壓調控模塊以及Nand型磁存儲單元；所述Nand型磁存儲單元包括自旋軌道矩層以及設置在所述自旋軌道矩層上的多個磁隧道結；所述電壓調控模塊用于：根據預設存儲需求，對所述多個磁隧道結進行分類；所述多個磁隧道結的分類結果包括第一存儲需求磁隧道結和第二存儲需求磁隧道結；根據所述多個磁隧道結中所述第一存儲需求磁隧道結的數量以及所述多個磁隧道結的分類結果，確定寫入電壓以及與所述磁隧道結對應的控制電壓；將所述寫入電壓提供給所述自旋軌道矩層，將所述控制電壓提供給對應所述磁隧道結；在所述寫入電壓和對應所述控制電壓下，所述第一存儲需求磁隧道結具有第一翻轉概率，所述第二存儲需求磁隧道結具有第二翻轉概率；其中，所述第一翻轉概率大于所述第二翻轉概率。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人青島海存微電子有限公司，其通訊地址為：266000 山東省青島市黃島區映山紅路117號1棟1605室(原黃島區科教二路117號1棟研發中心辦公室)；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。