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龍圖騰網(wǎng)恭喜浙江奧首材料科技有限公司申請的專利一種用于去除Si孔側(cè)壁損傷層的蝕刻液及其制備方法與應(yīng)用獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119039992B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-25發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202411526791.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C09K13/08；該發(fā)明授權(quán)一種用于去除Si孔側(cè)壁損傷層的蝕刻液及其制備方法與應(yīng)用是由侯軍;武文東;趙曉瑩;楊茂森;任潔;田繼升設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-10-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種用于去除Si孔側(cè)壁損傷層的蝕刻液及其制備方法與應(yīng)用在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種用于去除Si孔側(cè)壁損傷層的蝕刻液及其制備方法與應(yīng)用，所述用于去除Si孔側(cè)壁損傷層的蝕刻液包括重量配比如下的各組分：氟化試劑0.5?3份；硝酸20?70份；醋酸30?50份；滲透潤濕劑1?5份；反應(yīng)擴(kuò)散劑1?10份。所述氟化試劑為親核氟化試劑，所述滲透潤濕劑為Gemini表面活性劑，所述反應(yīng)擴(kuò)散劑為碳鏈修飾的亞硝基連二硫酸。本發(fā)明用于去除Si孔側(cè)壁損傷層的蝕刻液能有效去除TSV工藝中Si孔側(cè)壁損傷層。本發(fā)明蝕刻液通過分段蝕刻芯片，能提高液體置換率，加快傳質(zhì)，促進(jìn)孔內(nèi)均一蝕刻，形成孔內(nèi)均一形貌。

本發(fā)明授權(quán)一種用于去除Si孔側(cè)壁損傷層的蝕刻液及其制備方法與應(yīng)用在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于去除Si孔側(cè)壁損傷層的蝕刻液，其特征在于，包括重量配比如下的各組分：氟化試劑0.5-3份；硝酸20-70份；醋酸30-50份；滲透潤濕劑1-5份；反應(yīng)擴(kuò)散劑1-10份；所述反應(yīng)擴(kuò)散劑為碳鏈修飾的亞硝基連二硫酸；所述碳鏈修飾的亞硝基連二硫酸的制備方法，包括以下步驟：將烷基硫酸鹽、亞硝基硫酸和二氧化錳加入到醇水溶液中，在70-80℃條件下攪拌，反應(yīng)一定時間后冷卻至20-25℃；向溶液中加入氫氧化鋇處理未反應(yīng)的硫酸根，以沉淀副產(chǎn)的硫酸根，加入稀硫酸處理過剩鋇離子，過濾后的溶液經(jīng)烘干得到碳鏈修飾的亞硝基連二硫酸；所述烷基硫酸鹽的烷基碳鏈長為8-12；所述滲透潤濕劑為Gemini表面活性劑；所述氟化試劑為HF、二乙胺基三氟化硫（DAST）、NaF、KF中的一種或多種。

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