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龍圖騰網(wǎng)恭喜晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119050047B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-25發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為：202411536899.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/762；該發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)是由李琦琦;劉洋;祝君龍;吳涵涵;汪會(huì)干設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-10-31向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在說明書摘要公布了：本申請公開了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述制備方法包括：提供襯底，所述襯底內(nèi)具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)與所述襯底的有源區(qū)的交界處形成有凹陷；至少在所述凹陷內(nèi)靠近所述有源區(qū)的側(cè)壁上形成第一介質(zhì)層；在所述襯底上形成犧牲層，所述犧牲層覆蓋所述襯底的上表面；形成第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層覆蓋所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)、所述第一介質(zhì)層和所述犧牲層；對所述第二介質(zhì)層進(jìn)行研磨，停止在所述犧牲層；以及去除所述犧牲層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請意想不到的技術(shù)效果是：可在沒有增加光罩的情況下，避免在淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)與有源區(qū)的交界處形成凹陷，使得有源區(qū)表面平整，以達(dá)到降低INWE的效果。

本發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括：提供襯底，所述襯底內(nèi)具有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)與所述襯底的有源區(qū)的交界處形成有凹陷；在所述襯底上沉積介質(zhì)層材料，所述介質(zhì)層材料覆蓋所述襯底的上表面以及所述凹陷；以及以所述襯底的上表面為停止層，干法刻蝕所述介質(zhì)層材料，以在所述凹陷內(nèi)靠近所述有源區(qū)的側(cè)壁上形成第一介質(zhì)層，并使靠近所述有源區(qū)的側(cè)壁上的所述第一介質(zhì)層的上表面與所述襯底的上表面齊平；在所述襯底上形成犧牲層，所述犧牲層覆蓋所述襯底的上表面;形成第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層覆蓋所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)、所述第一介質(zhì)層和所述犧牲層；對所述第二介質(zhì)層進(jìn)行研磨，停止在所述犧牲層；以及去除所述犧牲層。

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