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龍圖騰網恭喜材料科學姑蘇實驗室申請的專利基于聚焦離子束-掃描電子顯微鏡雙束系統的納米光刻方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119356042B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411918679.2，技術領域涉及：G03F7/20；該發明授權基于聚焦離子束-掃描電子顯微鏡雙束系統的納米光刻方法是由黃永丹;方寒冰;胡友德;王新朋;童祎;周大勇;王暉設計研發完成，并于2024-12-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于聚焦離子束-掃描電子顯微鏡雙束系統的納米光刻方法在說明書摘要公布了：本申請涉及一種基于聚焦離子束?掃描電子顯微鏡雙束系統的納米光刻方法，涉及刻蝕工藝技術領域，方法包括：提供襯底；在襯底上形成膠層；在膠層上形成導體層；將襯底置于聚焦離子束?掃描電子顯微鏡雙束系統中，通過掃描電子顯微鏡確定圖形窗口設置區域，在圖形窗口設置區域內通過聚焦離子束刻蝕導體層，以形成圖形窗口；以導體層為掩膜執行刻蝕工藝，通過圖形窗口刻蝕膠層直至暴露襯底，以形成第一刻蝕開口。由此，提高了圖形的精確度。

本發明授權基于聚焦離子束-掃描電子顯微鏡雙束系統的納米光刻方法在權利要求書中公布了：1.一種基于聚焦離子束-掃描電子顯微鏡雙束系統的納米光刻方法，其特征在于，所述方法包括：提供襯底；在所述襯底上形成膠層，所述膠層的材料包括光刻膠；在所述膠層上形成導體層；將所述襯底置于所述聚焦離子束-掃描電子顯微鏡雙束系統中，通過掃描電子顯微鏡確定圖形窗口設置區域，在所述圖形窗口設置區域內通過聚焦離子束刻蝕所述導體層，以形成圖形窗口；通過掃描電子顯微鏡確定曝光區域，在所述曝光區域內利用電子束穿透所述導體層對所述膠層進行曝光；以所述導體層為掩膜執行刻蝕工藝，通過所述圖形窗口刻蝕所述膠層直至暴露所述襯底，以形成第一刻蝕開口；去除所述導體層；對所述膠層進行顯影，去除所述膠層的被曝光的部分，以形成第二刻蝕開口；其中，在所述襯底的厚度方向上，所述第一刻蝕開口的投影和所述第二刻蝕開口的投影彼此分離。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人材料科學姑蘇實驗室，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市工業園區若水路388號F棟；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。