恭喜株式會社迪思科木內(nèi)逸人獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜株式會社迪思科申請的專利晶片的加工方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN111063631B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:201910972930.6,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01L21/67;該發(fā)明授權(quán)晶片的加工方法是由木內(nèi)逸人設(shè)計研發(fā)完成,并于2019-10-14向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本晶片的加工方法在說明書摘要公布了:提供晶片的加工方法,即使通過襯底對晶片進行支承而對晶片的背面進行加工,也不會使器件的品質(zhì)降低。根據(jù)本發(fā)明,提供晶片的加工方法,其中,該晶片的加工方法至少包含如下的工序:晶片配設(shè)工序,在直徑為晶片10的直徑以上的襯底18的上表面上配設(shè)直徑小于晶片的剝離層16,并且將直徑為晶片的直徑以上的聚烯烴系片或聚酯系片中的任意片材14隔著剝離層16而鋪設(shè)在襯底18的上表面上,將晶片的正面10a定位于片材14的上表面而進行配設(shè);片材熱壓接工序,在密閉環(huán)境內(nèi)對隔著片材而配設(shè)于襯底的晶片進行減壓并對片材進行加熱,并且對晶片進行按壓而隔著片材14將晶片熱壓接在襯底上;加工工序,對晶片的背面10b實施加工;以及剝離工序,將晶片從片材14剝離。
本發(fā)明授權(quán)晶片的加工方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種晶片的加工方法,對由分割預(yù)定線劃分而在正面上形成有多個器件的晶片的背面進行加工,其中,該晶片的加工方法至少包含如下的工序:晶片配設(shè)工序,在直徑比晶片的直徑大的襯底的上表面上配設(shè)直徑小于晶片且由即使加熱也不會發(fā)揮粘接性的材料構(gòu)成的剝離層,并且將直徑為晶片的直徑以上的聚烯烴系片或聚酯系片中的任意片材隔著該剝離層而鋪設(shè)在襯底的上表面上,將晶片的正面定位于該片材的上表面而進行配設(shè);片材熱壓接工序,在密閉環(huán)境內(nèi)對隔著該片材而配設(shè)于該襯底的晶片進行減壓并對該片材進行加熱而使該片材發(fā)揮粘接性,并且對晶片進行按壓而隔著該片材將晶片熱壓接在該襯底上;加工工序,對晶片的背面實施加工;以及剝離工序,將晶片從該片材剝離,在該片材熱壓接工序中,對晶片進行按壓以使該片材圍繞著晶片而鼓出,該剝離層在該加工工序后的該剝離工序中從該襯底剝離。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人株式會社迪思科,其通訊地址為:日本東京都;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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