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龍圖騰網(wǎng)恭喜思特威(上海)電子科技股份有限公司申請(qǐng)的專利像素單元、圖像傳感器及電子設(shè)備獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112750848B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201911063473.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F39/12；該發(fā)明授權(quán)像素單元、圖像傳感器及電子設(shè)備是由張盛鑫;徐辰;邵澤旭設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-10-31向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本像素單元、圖像傳感器及電子設(shè)備在說明書摘要公布了：一種像素單元、圖像傳感器及電子設(shè)備，其中像素單元包括：光電二極管、傳輸晶體管、浮動(dòng)擴(kuò)散點(diǎn)，復(fù)位晶體管、轉(zhuǎn)換增益控制晶體管以及增益控制電容；其中浮動(dòng)擴(kuò)散點(diǎn)靠近傳輸晶體管設(shè)置并連接至傳輸晶體管；轉(zhuǎn)換增益控制晶體管連接在浮動(dòng)擴(kuò)散點(diǎn)和復(fù)位晶體管之間；增益控制電容的第一極包括連接部和拓展部，連接部為復(fù)位晶體管與轉(zhuǎn)換增益控制晶體管兩者的連接點(diǎn)，拓展部由該連接點(diǎn)凸伸至按列方向相鄰的兩個(gè)光電二極管之間；采用連接部和拓展部結(jié)合以構(gòu)成增益控制電容，進(jìn)而達(dá)到更低的低增益值，以提升圖像傳感器的增益比率和在高光場(chǎng)景下的工作性能。

本發(fā)明授權(quán)像素單元、圖像傳感器及電子設(shè)備在權(quán)利要求書中公布了：1.一種像素單元，其特征在于，包括：光電二極管及連接到所述光電二極管的傳輸晶體管，所述傳輸晶體管以一角度傾斜設(shè)置于所述光電二極管的角部；浮動(dòng)擴(kuò)散點(diǎn)，所述浮動(dòng)擴(kuò)散點(diǎn)靠近所述傳輸晶體管設(shè)置并連接至所述傳輸晶體管；復(fù)位晶體管和轉(zhuǎn)換增益控制晶體管，所述轉(zhuǎn)換增益控制晶體管連接在所述浮動(dòng)擴(kuò)散點(diǎn)和所述復(fù)位晶體管之間；增益控制電容，所述增益控制電容的第一極包括連接部和拓展部，所述連接部為所述復(fù)位晶體管與所述轉(zhuǎn)換增益控制晶體管兩者的連接點(diǎn)，所述拓展部由所述連接點(diǎn)凸伸至按列方向相鄰的兩個(gè)光電二極管之間；所述浮動(dòng)擴(kuò)散點(diǎn)沿第一傾斜方向傾斜設(shè)置在所述光電二極管和所述第一極之間，所述轉(zhuǎn)換增益控制晶體管沿第二傾斜方向傾斜設(shè)置在所述浮動(dòng)擴(kuò)散點(diǎn)和所述第一極之間，所述第一傾斜方向和所述第二傾斜方向交叉；所述拓展部與位于其列方向上兩側(cè)的光電二極管之間均設(shè)置隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)采用離子注入方式隔離或STI隔離。

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