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龍圖騰網恭喜無錫華潤上華科技有限公司;電子科技大學申請的專利一種屏蔽柵溝槽MOSFET的建模方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113761823B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010491561.1，技術領域涉及：G06F30/367；該發明授權一種屏蔽柵溝槽MOSFET的建模方法是由高文明;江逸洵;劉新新;喬明設計研發完成，并于2020-06-02向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種屏蔽柵溝槽MOSFET的建模方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種屏蔽柵溝槽MOSFET的建模方法，所述建模方法包括：按照屏蔽柵溝槽MOSFET的器件結構，將所述器件結構劃分為本征區、電子擴散區、屏蔽柵所在的JFET區以及屏蔽柵下區域；分別對本征區、所述電子擴散區、屏蔽柵所在的JFET區以及所述屏蔽柵下區域建立物理模型；根據所述物理模型在仿真電路模擬器中建立仿真模型；判斷仿真模型是否符合誤差要求，以得到滿足誤差要求的仿真模型。本發明針對屏蔽柵溝槽MOSFET漂移區和襯底復雜的物理特性，將漂移區和襯底簡單分為三個部分，包括電子擴散區、屏蔽柵所在的JFET區以及屏蔽柵下區域；并針對劃分的區域分別建立等效電阻模型，提高直流交流的仿真精度，保證模型準確預測器件的I?V特性。

本發明授權一種屏蔽柵溝槽MOSFET的建模方法在權利要求書中公布了：1.一種屏蔽柵溝槽MOSFET的建模方法，其特征在于，所述建模方法包括：將屏蔽柵溝槽MOSFET的器件結構劃分為本征區、電子擴散區、屏蔽柵所在的JFET區以及屏蔽柵下區域，包括：將所述屏蔽柵溝槽MOSFET的器件結構沿源極指向漏極的方向劃分為四個層狀區域，所述四個層狀區域沿源極指向漏極的方向依次為本征區、電子擴散區、屏蔽柵所在的JFET區以及屏蔽柵下區域，所述本征區為所述屏蔽柵溝槽MOSFET的控制柵多晶和源極所處于的層狀區域，所述屏蔽柵所在的JFET區為所述屏蔽柵溝槽MOSFET的屏蔽柵多晶所處于的層狀區域，所述電子擴散區為所述本征區與所述屏蔽柵所在的JFET區之間的層狀區域，所述屏蔽柵下區域為所述屏蔽柵所在的JFET區下方的層狀區域；分別對所述本征區、所述電子擴散區、所述屏蔽柵所在的JFET區以及所述屏蔽柵下區域建立物理模型；根據所述物理模型在仿真電路模擬器中建立仿真模型；判斷所述仿真模型是否符合誤差要求，以得到滿足誤差要求的仿真模型；所述分別對所述本征區、所述電子擴散區、所述屏蔽柵所在的JFET區以及所述屏蔽柵下區域建立物理模型，包括：采用BSIM4模型，得到所述本征區的物理模型；采用公式1對所述電子擴散區建立物理模型，以模擬所述電子擴散區的電阻特性；RDTT＝RDTTNOM·[1+TCRD1·T-TNOM+TCRD2·T-TNOM2]1；采用公式2對所述屏蔽柵下區域建立物理模型，以模擬所述屏蔽柵下區域的電阻特性；RDBT＝RDBTNOM·[1+TCRD1·T-TNOM+TCRD2·T-TNOM2]2；采用公式3對所述屏蔽柵所在的JFET區建立物理模型，以模擬所述屏蔽柵所在的JFET區的電阻特性；RJFETT＝RJFETTNOM·[1+TCRD1·T-TNOM+TCRD2·T-TNOM2]3；其中，RDTT為所述電子擴散區任一溫度下的等效電阻；RDTTNOM為所述電子擴散區常溫時的等效電阻，為所述仿真模型的擬合參數；RDBT為所述屏蔽柵下區域和襯底任一溫度下的等效電阻；RDBTNOM為所述屏蔽柵下區域和襯底常溫時的等效電阻，為所述仿真模型的擬合參數；RJFETT為所述屏蔽柵所在的JFET區任一溫度下的等效電阻；RJFETTNOM為所述屏蔽柵所在的JFET區常溫時的等效電阻，與其兩端電壓VD1、VD2相關；T為屏蔽柵溝槽MOSFET的器件實際工作溫度，TNOM為常溫，TCRD1和TCRD2分別為一次項和二次項的擬合系數。

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