恭喜愛思開海力士有限公司李南宰獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜愛思開海力士有限公司申請的專利半導體存儲器裝置以及該半導體存儲器裝置的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112928098B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010646114.9，技術領域涉及：H01L23/538；該發明授權半導體存儲器裝置以及該半導體存儲器裝置的制造方法是由李南宰設計研發完成，并于2020-07-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體存儲器裝置以及該半導體存儲器裝置的制造方法在說明書摘要公布了：本文提供了一種半導體存儲器裝置以及該半導體存儲器裝置的制造方法。該半導體存儲器裝置包括：接觸圖案，其包括垂直接觸部以及在與垂直接觸部交叉的方向上從垂直接觸部延伸的側壁接觸部；下導電圖案，其具有垂直接觸部插入其中的孔；以及上導電圖案，其與下導電圖案的一部分交疊。上導電圖案包括與側壁接觸部接觸的第一側部以及面向垂直接觸部并與垂直接觸部間隔開的第二側部。
本發明授權半導體存儲器裝置以及該半導體存儲器裝置的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體存儲器裝置，該半導體存儲器裝置包括：溝道結構，該溝道結構包括數據存儲層；接觸圖案，該接觸圖案包括垂直接觸部以及在與所述垂直接觸部交叉的方向上從所述垂直接觸部延伸的側壁接觸部，其中，所述側壁接觸部聯接到所述垂直接觸部，并且其中，所述接觸圖案被設置為與所述溝道結構分離；下導電圖案，該下導電圖案具有孔，所述垂直接觸部被插入到該孔中；以及上導電圖案，該上導電圖案與所述下導電圖案的一部分交疊，其中，所述上導電圖案包括與所述側壁接觸部接觸的第一側部以及面向所述垂直接觸部并與所述垂直接觸部間隔開的第二側部。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人愛思開海力士有限公司，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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