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龍圖騰網(wǎng)恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114188278B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202010963305.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/03；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法是由韓秋華設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-09-14向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供襯底，襯底包括第一區(qū)和第二區(qū)；在第一區(qū)的襯底上形成第一掩膜結(jié)構(gòu)；在第二區(qū)的襯底內(nèi)形成第二鰭部材料層；在第二鰭部材料層上形成第二掩膜結(jié)構(gòu)，第二掩膜結(jié)構(gòu)與第一掩膜結(jié)構(gòu)的材料不同；在第一掩膜結(jié)構(gòu)和第二掩膜結(jié)構(gòu)上形成若干分立排布的鰭部圖形；以鰭部圖形為掩膜，刻蝕第二掩膜結(jié)構(gòu)和第二鰭部材料層，在第二區(qū)的襯底上形成第二鰭部；形成覆蓋第二鰭部側(cè)壁的保護(hù)層；以鰭部圖形為掩膜，刻蝕第一掩膜結(jié)構(gòu)和第一區(qū)的襯底，在第一區(qū)的襯底上形成第一鰭部。本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，能分別形成NMOS區(qū)和PMOS區(qū)上的鰭部，有利于提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：提供襯底，所述襯底包括相鄰的第一區(qū)和第二區(qū)；在所述第一區(qū)的所述襯底上形成第一掩膜結(jié)構(gòu)；在所述第二區(qū)的所述襯底內(nèi)形成第二鰭部材料層，所述第二鰭部材料層的頂部表面與所述第一區(qū)的襯底的頂部表面齊平；在所述第二鰭部材料層上形成第二掩膜結(jié)構(gòu)，所述第二掩膜結(jié)構(gòu)與所述第一掩膜結(jié)構(gòu)的材料不同；在所述第一掩膜結(jié)構(gòu)和所述第二掩膜結(jié)構(gòu)上形成若干分立排布的鰭部圖形；以所述鰭部圖形為掩膜，刻蝕所述第二掩膜結(jié)構(gòu)和所述第二鰭部材料層，至露出所述襯底的表面，在所述第二區(qū)的襯底上形成第二鰭部；形成覆蓋所述第二鰭部側(cè)壁的保護(hù)層；以所述鰭部圖形為掩膜，刻蝕所述第一掩膜結(jié)構(gòu)和所述第一區(qū)的襯底，在所述第一區(qū)的襯底上形成第一鰭部。

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