恭喜弗薩姆材料美國有限責(zé)任公司孫來生獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜弗薩姆材料美國有限責(zé)任公司申請的專利用于去除蝕刻殘留物的組合物及其使用方法和用途獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN114450388B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202080067656.9,技術(shù)領(lǐng)域涉及:C11D11/00;該發(fā)明授權(quán)用于去除蝕刻殘留物的組合物及其使用方法和用途是由孫來生;王莉莉;吳愛萍;李翊嘉;陳天牛設(shè)計研發(fā)完成,并于2020-09-24向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本用于去除蝕刻殘留物的組合物及其使用方法和用途在說明書摘要公布了:一種用于微電子器件或半導(dǎo)體襯底的方法和清潔組合物,其包括至少一種烷醇胺;至少一種羥胺或羥胺衍生物或其混合物;至少一種具有至少兩個羧酸基團(tuán)的多官能有機(jī)酸和水。該清潔組合物可進(jìn)一步包括至少一種腐蝕抑制劑。
本發(fā)明授權(quán)用于去除蝕刻殘留物的組合物及其使用方法和用途在權(quán)利要求書中公布了:1.一種用于清潔微電子器件或半導(dǎo)體襯底的組合物,其包含:i約5至約88wt%的至少一種烷醇胺,其中所述至少一種烷醇胺具有以下結(jié)構(gòu): 其中R1、R2和R3各自獨立地選自:a氫,b1C1-C20直鏈烷基,b2C4-C20支鏈烷基,b3C3-C20環(huán)烷基;c未取代的C2-C20烷基醚基團(tuán);dC1-C20烷醇基團(tuán),e被-OH基團(tuán)取代的C2-C20烷基醚基團(tuán);和其中R1、R2和R3中的至少一個必須是d或e;ii約5至約50wt%的至少一種羥胺或羥胺衍生物或其混合物,包含N-異丙基羥胺、N-甲基羥胺、二甲基羥胺、N-乙基羥胺、二乙基羥胺、N-丙基羥胺、二丙基羥胺和N-叔丁基羥胺、N,O-二甲基羥胺、O-甲基羥胺、O-乙基羥胺、O-丙基羥胺、硫酸羥胺、硝酸羥胺、鹽酸羥胺、鹽酸N-叔丁基羥胺、磷酸羥胺、乙酸羥胺、乙酸N-叔丁基羥胺、檸檬酸羥胺、羥胺、羥胺高氯酸鹽、鹽酸N-甲基羥胺中的一種或多種;iii約0.05至約20wt%的至少一種具有至少兩個羧酸基團(tuán)的多官能有機(jī)酸,包含草酸、丙二酸、蘋果酸、酒石酸、琥珀酸、檸檬酸、乙二胺四乙酸EDTA、丁二胺四乙酸、1,2-環(huán)己二胺四乙酸CyDTA、二亞乙基三胺五乙酸DETPA、乙二胺四丙酸、羥乙基乙二胺三乙酸HEDTA、三亞乙基四胺六乙酸TTHA、1,3-二氨基-2-羥基丙烷-N,N,N',N'-四乙酸DHPTA、甲基亞氨基二乙酸、丙二胺四乙酸、次氮基三乙酸NTA和鄰苯二甲酸中的一種或多種;和iv約10至約30wt%的水;其中所述組合物具有約9或更大的pH,包含小于0.1wt.%的含氟化合物、銨鹽和水混溶性有機(jī)溶劑,以及其中術(shù)語“約”旨在對應(yīng)于所述值的±5%。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人弗薩姆材料美國有限責(zé)任公司,其通訊地址為:美國亞利桑那州;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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