恭喜京瓷株式會社山口勝義獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜京瓷株式會社申請的專利電容器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114846569B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080088037.8，技術領域涉及：H01G4/30；該發明授權電容器是由山口勝義設計研發完成，并于2020-12-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本電容器在說明書摘要公布了：具備電介質層和內部電極層交替地層疊多層的電容器主體；電介質層包含鈦酸鋇的晶粒、稀土元素以及硅；晶粒包含第1晶粒和第2晶粒；在將晶粒中的表層的部分作為殼部，將該殼部包圍的內側的部分作為芯部時，第1晶粒具有：稀土元素的濃度在殼部比在芯部高的分布；第2晶粒具有：芯部以及殼部中的硅的濃度比小于第1晶粒的芯部以及殼部中的稀土元素的濃度比的分布。
本發明授權電容器在權利要求書中公布了：1.電容器，具備電介質層和內部電極層交替地層疊多層的電容器主體；所述電介質層包含以鈦酸鋇作為主成分的晶粒、稀土元素以及硅；所述晶粒包含第1晶粒和第2晶粒；在分別將所述第1晶粒和所述第2晶粒中的表層的部分作為殼部，將該殼部包圍的內側的部分作為芯部時，所述第1晶粒具有：稀土元素的濃度在所述第1晶粒的殼部比在所述第1晶粒的芯部高的分布，硅固溶至所述第2晶粒的內部，所述第2晶粒具有：所述第2晶粒的芯部以及所述第2晶粒的殼部中的硅的濃度比小于所述第1晶粒的芯部以及所述第1晶粒的殼部中的稀土元素的濃度比的分布；所述第2晶粒中，所述第2晶粒的殼部中所含的硅的濃度與所述第2晶粒的芯部中所含的硅的濃度的比為1以上且1.5以下；所述電介質層中以個數比80%以上包含所述第2晶粒。
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