買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜北京大學申請的專利半導體結構的制備方法、半導體結構及半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117832173B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202311740316.X，技術領域涉及：H10D84/03；該發明授權半導體結構的制備方法、半導體結構及半導體器件是由吳恒;王潤聲;黎明;盧浩然;孫嘉誠;黃如設計研發完成，并于2023-12-18向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構的制備方法、半導體結構及半導體器件在說明書摘要公布了：本申請提供一種半導體結構的制備方法、半導體結構及半導體器件，上述方法包括：提供一形成有鰭狀結構的襯底；其中，鰭狀結構包括在第一方向上排布的器件區和場區；去除鰭狀結構中位于場區的第一部分，保留場區的第二部分；基于鰭狀結構的上部，形成第一半導體結構，第一半導體結構包括第一源漏結構、第一源漏金屬和第一層間介質層；倒片并去除襯底，以暴露鰭狀結構的下部；去除場區的第二部分，以暴露第一層間介質層；基于鰭狀結構的下部，形成第二半導體結構，第二半導體結構包括第二源漏結構、第二源漏金屬和第二層間介質層；第一層間介質層和第二層間介質層中形成有互連通孔結構；互連通孔結構與第一源漏金屬、第二源漏金屬連接。

本發明授權半導體結構的制備方法、半導體結構及半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制備方法，其特征在于，包括：提供一形成有鰭狀結構的襯底；其中，所述鰭狀結構包括在第一方向上排布的器件區和場區；所述第一方向與所述鰭狀結構的延伸方向相同；去除所述鰭狀結構中位于所述場區的第一部分，保留所述場區的第二部分；其中，所述第一部分相對于所述第二部分遠離所述襯底；基于所述鰭狀結構的上部，形成第一半導體結構，所述第一半導體結構包括第一源漏結構、第一源漏金屬和第一層間介質層；其中，所述第一源漏結構位于所述器件區，所述第一層間介質層位于所述場區的所述第二部分之上；倒片并去除所述襯底，以暴露所述鰭狀結構的下部；去除所述場區的第二部分，以暴露所述第一層間介質層；基于所述鰭狀結構的下部，形成第二半導體結構，所述第二半導體結構包括第二源漏結構、第二源漏金屬和第二層間介質層；其中，所述第二源漏結構位于所述器件區，所述第二層間介質層位于所述場區的所述第一層間介質層之上；所述第一層間介質層和所述第二層間介質層中形成有互連通孔結構；所述互連通孔結構與所述第一源漏金屬、所述第二源漏金屬連接。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京大學，其通訊地址為：100871 北京市海淀區頤和園路5號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。