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龍圖騰網恭喜長春中科長光時空光電技術有限公司申請的專利一種長波長垂直腔面發射半導體激光器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111106532B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-06發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911269504.2，技術領域涉及：H01S5/183；該發明授權一種長波長垂直腔面發射半導體激光器及其制備方法是由張星設計研發完成，并于2019-12-11向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種長波長垂直腔面發射半導體激光器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種長波長垂直腔面發射半導體激光器，從下至上依次包括DBR反射鏡、下電流注入層、發光區、上電流注入層和反射光柵，其中DBR反射鏡與反射光柵會相對設置，而反射光柵的反射光波長與DBR反射鏡的反射光波長相同，且反射光柵的反射率小于DBR反射鏡的反射率。此時，發光區位于反射光柵以及DBR反射鏡之間區域所產生的光線會在反射光柵與DBR反射鏡之間振蕩從而產生激光，并且光線會從反射光柵射出半導體激光器，上述反射光柵的位置即半導體激光器中出光孔的位置。由于反射光柵的結構簡單且制備工藝簡單，可以降低激光器的制備成本。本發明還提供了一種制備方法，同樣具有上述有益效果。

本發明授權一種長波長垂直腔面發射半導體激光器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種長波長垂直腔面發射半導體激光器，其特征在于，包括：DBR反射鏡；位于所述DBR反射鏡表面的下電流注入層；位于所述下電流注入層背向所述DBR反射鏡一側表面的發光區；位于所述發光區背向所述DBR反射鏡一側表面的上電流注入層；位于所述上電流注入層背向所述DBR反射鏡一側表面預設出光區域的反射光柵；所述反射光柵的反射光波長與所述DBR反射鏡的反射光波長相同，所述反射光柵的反射率小于所述DBR反射鏡的反射率；所述上電流注入層背向所述DBR反射鏡一側表面設置有至少兩個相互隔離的所述反射光柵，相鄰所述反射光柵之間的距離不大于所述上電流注入層中電流的擴散距離；相鄰所述反射光柵之間的距離不大于所述下電流注入層中電流的擴散距離；每一所述反射光柵對應一個發光點，不同發光點之間共用發光區，所述發光區所產生的光線在不同發光點之間傳播；在所述DBR反射鏡與不同的所述反射光柵之間震蕩的激光相互鎖定，實現同相位的振蕩，形成相位相同的相干激光輸出；形成預設數量發光點的長波長VCSEL相干陣列。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長春中科長光時空光電技術有限公司，其通訊地址為：130000 吉林省長春市北湖科技開發區明溪路1759號E305室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。