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龍圖騰網恭喜上海積塔半導體有限公司申請的專利一種半導體結構及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115332258B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211139514.6，技術領域涉及：H10B53/00；該發明授權一種半導體結構及其制作方法是由丁甲;張繼偉;胡林輝;黃永彬設計研發完成，并于2022-09-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體結構及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體結構及其制作方法，該方法包括以下步驟：提供一包括第一層間介質層及位于所述第一層間介質層中的第一金屬層的半導體層；形成水平方向上間隔的至少一第一導電柱及至少一第二導電柱于第一層間介質層內；形成凹槽于第一層間介質層內使第二導電柱的頂面低于第一導電柱的頂面；基于凹槽形成存儲單元于第二導電柱上方；形成第三導電柱于存儲單元上方；形成第二金屬層于第一導電柱及第三導電柱上方。本發明的制作方法能夠避免在不形成存儲單元的區域實施兩層通孔堆疊的工藝過程，增大套刻對準工藝窗口的同時能夠避免一次完成不同深度的通孔刻蝕帶來的貫穿風險。本發明還提供一種具有較好的性能穩定性和使用安全性的半導體結構。

本發明授權一種半導體結構及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：提供一半導體層，所述半導體層包括第一層間介質層及位于所述第一層間介質層中的第一金屬層；形成至少一第一接觸孔及至少一第二接觸孔于所述第一層間介質層內，所述第一接觸孔與所述第二接觸孔在水平方向上間隔設置，所述第一接觸孔及所述第二接觸孔均自所述第一層間介質層的頂面開口并延伸至所述第一金屬層的上表面；向所述第一接觸孔及所述第二接觸孔內填充導電材料以得到位于所述第一接觸孔中的第一導電柱及位于所述第二接觸孔中的第二導電柱；形成掩膜層于所述第一層間介質層上并圖形化以得到貫穿所述掩膜層的開口，所述開口顯露所述第二導電柱及至少一部分所述層間介質層；基于具有所述開口的所述掩膜層刻蝕所述第一層間介質層及所述第二導電柱以得到凹槽，并使所述第二導電柱的頂面低于所述第一導電柱的頂面為預設長度；形成存儲單元于所述第二導電柱上方，所述存儲單元與所述第二導電柱電連接；形成第三導電柱于所述存儲單元上方，所述第三導電柱與所述存儲單元電連接，包括以下步驟：形成絕緣保護層，所述絕緣保護層覆蓋所述第一層間介質層、所述第一導電柱及所述存儲單元的裸露表面；形成第二層間介質層于所述絕緣保護層，所述第二層間介質層還填充進所述凹槽中；平坦化所述第二層間介質層以去除所述凹槽外的所述第二層間介質層；形成第三接觸孔，所述第三接觸孔依次貫穿所述第二層間介質層及所述絕緣保護層；向所述第三接觸孔內填充導電材料以得到所述第三導電柱；形成第二金屬層于所述第一導電柱及所述第三導電柱上方，所述第二金屬層與所述第一導電柱及所述第三導電柱電連接。

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